Nederlands
Menu

DRAM

Welke opbouw is juist voor een geheugencel van 1 bit van een gewoon DRAM?

  1. AEén transistor en één condensator
  2. BZes transistors
  3. CEén transistor met floating gate
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Eén transistor en één condensator

Een DRAM-cel bestaat uit één transistor en één condensator (1T1C) en slaat 1 bit op aan de hand van de aanwezigheid van lading in de condensator. De condensator is met circa 10 fF zeer klein, en een verschil van slechts enkele tienduizenden elektronen onderscheidt 0 en 1. Door het geringe aantal componenten is het celoppervlak met circa 6F² klein, wat geschikt is voor grote capaciteiten. Zes transistors vormen de celopbouw van SRAM en een transistor met floating gate die van flashgeheugen.

DRAM-geheugencel (1T1C) Bitlijn (BL) Wordlijn (WL) Transistor Condensator Slaat 1 bit op via de aan- of afwezigheid van lading
DRAM-geheugencel (1T1C) · Bekijken in het figurenoverzicht
Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over DRAM

  1. Waarom is bij DRAM periodiek verversen (refresh) nodig?
  2. Welke uitspraak over de leesbewerking van DRAM is juist?
  3. Welke combinatie van driedimensionale structuren wordt gebruikt om bij DRAM-cellen voldoende condensatorcapaciteit te behouden?
  4. Welke eigenschap van DRAM is juist?
  5. Wat betekent "DDR (double data rate)" in DDR SDRAM?

Vergelijkingen bij dit onderwerp