Nederlands
Menu

DRAM

Sommige DRAM-cellen laten een gegevensbewaartijd zien die onregelmatig steeds langer en korter wordt. Hoe heet dit verschijnsel?

  1. AVRT (variable retention time)
  2. BSoft error
  3. CRowhammer
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. VRT (variable retention time)

VRT (variable retention time) is het verschijnsel dat de lekstroom van een cel door veranderingen in de toestand van een defect omschakelt en de bewaartijd onregelmatig tussen twee of meer waarden heen en weer gaat. Ook als de bewaartijd ten tijde van de uitleveringstest voldoende is, kan die tijdens gebruik korter worden, zodat zwakke cellen met een eenmalige meting in de test niet allemaal worden gevonden. Tegenmaatregelen zijn een ruime marge in de refreshperiode en het opvangen met ECC.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over DRAM

  1. Wat is de belangrijkste reden dat voor het aansturen van de DRAM-wordlijn een verhoogde spanning (VPP) wordt gebruikt die hoger is dan de voedingsspanning?
  2. Welke opbouw is juist voor een geheugencel van 1 bit van een gewoon DRAM?
  3. Waarom is bij DRAM periodiek verversen (refresh) nodig?
  4. Welke uitspraak over de leesbewerking van DRAM is juist?
  5. Welke combinatie van driedimensionale structuren wordt gebruikt om bij DRAM-cellen voldoende condensatorcapaciteit te behouden?

Vergelijkingen bij dit onderwerp