Nederlands
Menu

DRAM

Wat is het belangrijkste doel van de structuur waarbij bij de celtransistor van recent DRAM de gate-elektrode in een sleuf in het siliciumsubstraat wordt begraven (buried wordline)?

  1. AOm de cel licht te laten uitzenden
  2. BOm de effectieve kanaallengte te vergroten en de lekstroom te beperken, terwijl de cel kleiner wordt
  3. COm de condensator overbodig te maken
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Om de effectieve kanaallengte te vergroten en de lekstroom te beperken, terwijl de cel kleiner wordt

De celtransistor van DRAM moet een uiterst kleine lekstroom (fA-klasse) hebben om de lading van de condensator 64 ms of langer te behouden. Wordt de gate in een sleuf begraven, dan wordt het kanaal langs de sleuf langer, ook al is de afmeting in het vlak klein, en wordt de lekstroom door korte-kanaaleffecten beperkt. De buried wordline (BCAT) is sinds circa 2010 de standaard en heeft het voordeel dat de capaciteit tussen de wordlijn en de bovenliggende bedrading afneemt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over DRAM

  1. Wat is de belangrijkste reden dat bij DRAM het adres wordt verdeeld in een rijadres en een kolomadres die achtereenvolgens via dezelfde pinnen worden toegevoerd?
  2. Wat is het belangrijkste doel van het verdelen van het DRAM-inwendige in meerdere banken?
  3. Waarom is de spanningsverandering op de bitlijn bij het lezen van DRAM zeer klein?
  4. Welke uitspraak over de gedachte achter 3D DRAM, dat als middel voor grotere capaciteit van toekomstig DRAM wordt ontwikkeld, is juist?
  5. Hoe heet het verschijnsel dat bij DRAM, als een rij in korte tijd vele malen wordt geactiveerd, de gegevens in naburige rijen kunnen omslaan?

Vergelijkingen bij dit onderwerp