Nederlands
Menu

DRAM

Welke uitspraak over redundantiereparatie, gebruikt om de opbrengst van DRAM te verhogen, is juist?

  1. ARijen of kolommen met defecte cellen worden vervangen door vooraf voorziene reserverijen of reservekolommen
  2. BAlle chips met defecte cellen worden weggegooid
  3. CDe voedingsspanning wordt verhoogd om defecte cellen te laten werken
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Rijen of kolommen met defecte cellen worden vervangen door vooraf voorziene reserverijen of reservekolommen

Het komt zelden voor dat enkele miljarden cellen zonder één defect worden gemaakt, dus DRAM beschikt over reserverijen en reservekolommen. De adressen van bij de wafertest gevonden defecte plaatsen worden vastgelegd in met laser doorgebrande zekeringen of elektrisch te programmeren antifuses, en de toegang wordt omgeleid naar de reserve. Er is ook een mechanisme waarmee na de verpakking nog kan worden gerepareerd (PPR). Zonder deze redundantiereparatie zou de opbrengst van DRAM met grote capaciteit niet haalbaar zijn.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over DRAM

  1. Wat is de juiste werking van de foutcorrigerende code (ECC) in geheugen?
  2. Waarom wordt bij DRAM de toegangstijd korter als achtereenvolgens dezelfde rij (pagina) wordt benaderd?
  3. Waarom worden High-k-materialen zoals zirkoniumoxide gebruikt voor de diëlektrische laag van DRAM-condensatoren?
  4. Welke uitspraak over de self-refreshmodus van DRAM is juist?
  5. Hoeveel bedraagt de capaciteit van een DRAM-chip van 8 Gbit uitgedrukt in bytes?

Vergelijkingen bij dit onderwerp