Nederlands
Menu

DRAM

Welke combinatie van driedimensionale structuren wordt gebruikt om bij DRAM-cellen voldoende condensatorcapaciteit te behouden?

  1. AFinvormig en planair
  2. BTrench-type en stack-type
  3. CFloating-gatetype en ladingtraptype
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Trench-type en stack-type

Om ook bij kleinere cellen een capaciteit van circa 10 fF te behouden, heeft DRAM de condensator driedimensionaal gemaakt. Er is het trench-type, waarbij een diepe sleuf in het substraat wordt gegraven, en het stack-type, waarbij hoge cilinders boven op de transistor worden gestapeld; momenteel is het stack-type de standaard. Bij geavanceerde producten hebben condensatoren een diameter van enkele tientallen nm en een hoogte van meer dan 1 µm, met een aspectverhouding van tientallen, en worden ze met ondersteunende lagen versterkt om omvallen te voorkomen. Floating gate en ladingtrap zijn structuren van flash.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over DRAM

  1. Welke eigenschap van DRAM is juist?
  2. Wat betekent "DDR (double data rate)" in DDR SDRAM?
  3. Welke lijn in de DRAM-celmatrix is verbonden met de gates van de celtransistors en selecteert de rij die wordt gelezen of geschreven?
  4. Wat gebeurt er gewoonlijk met de tijd dat DRAM-cellen gegevens kunnen vasthouden wanneer de temperatuur stijgt?
  5. Welke uitspraak over een soft error in geheugen is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp