Exposition réalisée en remplissant d'eau l'espace entre la lentille et la plaquette. L'ouverture numérique peut dépasser 1, ce qui permet des motifs plus fins avec un laser excimère ArF.
Nom japonais: 液浸露光
« Lithographie à immersion » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Lithographie, Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques).
Domaine: Lithographie
Réponse : C. Parce que la lumière arrivant sous un grand angle, l'intensité des interférences (contraste de l'image) dépend de l'orientation de la polarisation
Avec une grande NA, l'angle d'incidence de la lumière sur le wafer devient grand (environ 70° dans l'eau pour une NA de 1,35). Si les champs électriques des deux faisceaux qui interfèrent sont perpendiculaires au plan d'incidence (polarisation TE), ils interfèrent fortement ; s'ils sont parallèles (polarisation TM), la composante qui s'annule croît avec l'angle et le contraste de l'image baisse. La lithographie à immersion utilise donc une illumination polarisée, contrôlée pour être TE selon l'orientation des lignes.
La lithographie à immersion utilise donc une illumination polarisée, contrôlée pour être TE selon l'orientation des lignes.
En lithographie à immersion à très grande ouverture numériq…En lithographie à immersion, l'interstice d'environ 1 mm entre la lentille de projection et le wafer est rempli d'eau ultrapure, d'indice de réfraction (environ 1,44 à 193 nm) supérieur à celui de l'air (environ 1).
Quelle description de la lithographie ArF à immersion est c…En lithographie à immersion, l'eau entre la lentille et la plaquette touche la résine : les générateurs photo-acides, etc.
En lithographie ArF à immersion, quel film appliqué sur la …Ouverture numérique (NA) Eau ultrapure Contact Couche antireflet (BARC) Pellicule EUV High-NA Fenêtre de procédé Laser excimère ArF Lithographie EUV Lithographie par nano-impression