Mechanisme dat de wafer met elektrostatische kracht op een tafel vasthoudt. Werkt ook in vacuüm en kan gas langs de achterzijde laten stromen om de wafertemperatuur te regelen. Wordt veel gebruikt in depositie- en etsapparatuur.
Japanse benaming: 静電チャック
“Elektrostatische chuck (ESC)” komt voor in 3 oefenvragen uit 3 onderwerpen, bijv. Ionenimplantatie, Laagafzetting (CVD, PVD), Procesmaterialen (gassen, chemicaliën).
Vakgebied: Laagafzetting (CVD, PVD)
Antwoord: B. Om te voorkomen dat de temperatuur van de wafer door de bundelenergie stijgt en de maskerresist verandert of de implantatietoestand verandert
Bij implantatie met grote stroom komt bijvoorbeeld bij enkele tientallen keV × enkele tientallen mA bundelenergie van enkele honderden W tot bijna 1 kW in de wafer, en zonder koeling stijgt de temperatuur tot boven 100 °C. Als de resist vervormt of verandert, wijzigen de afmetingen van het masker of wordt verwijderen moeilijk. Omdat ook de mate van schadeherstel (de neiging tot amorfisering) met de temperatuur verandert, wordt de wafer met een elektrostatische chuck gekoeld en wordt de temperatuur beheerd. Tegenwoordig is er ook een methode om juist bij lage temperatuur te implanteren om de aard van de schade te regelen.
Antwoord: B. Elektrostatische chuck (ESC)
Een elektrostatische chuck legt een spanning van enkele honderden volt tot enkele kV aan op een elektrode in een keramische tafel en houdt de wafer vast met de elektrostatische kracht tussen wafer en tafel. Ze werkt ook in vacuüm en houdt de gehele wafer gelijkmatig vast, en door helium tussen wafer en tafel te laten stromen voor warmteoverdracht kan de temperatuur van de wafer nauwkeurig worden geregeld. Het is een onderdeel dat rechtstreeks de uniformiteit van ets en depositie bepaalt, en ook de afhandeling van resterende lading bij het loslaten (dechucking) is belangrijk.
Omdat ook de mate van schadeherstel (de neiging tot amorfisering) met de temperatuur verandert, wordt de wafer met een elektrostatische chuck gekoeld en wordt de temperatuur beheerd.
Wat is de belangrijkste reden om de wafer tijdens ionenimpl…Een elektrostatische chuck legt een spanning van enkele honderden volt tot enkele kV aan op een elektrode in een keramische tafel en houdt de wafer vast met de elektrostatische kracht tussen wafer en tafel.
Welk mechanisme in depositie- en etsapparatuur zet de wafer…Het is een ander onderdeel dan een elektrostatische chuck of een masker.
Welke uitspraak over het target dat bij sputteren wordt geb…Ionenimplantatie Sputteren Plasma ALD (atomic layer deposition) CVD Elektrolytisch plateren (ECP) Gebiedsselectieve depositie (area-selective deposition) HDP-CVD (high-density plasma CVD) LPCVD (low-pressure CVD) Magnetronsputteren