Nederlands
Menu

Laagafzetting (CVD, PVD)

Welke uitspraak over lagedruk-CVD (LPCVD) is juist?

  1. ADoordat onder lage druk wordt gewerkt, is de uniformiteit van de laagdikte goed en kunnen veel wafers tegelijk worden verwerkt
  2. BDoordat bij atmosferische druk wordt gewerkt, is de apparatuur het eenvoudigst
  3. CDoordat plasma wordt gebruikt, kan bij kamertemperatuur worden afgezet
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Doordat onder lage druk wordt gewerkt, is de uniformiteit van de laagdikte goed en kunnen veel wafers tegelijk worden verwerkt

LPCVD is thermische CVD bij een verlaagde druk van enkele tientallen tot enkele honderden Pa. Bij lage druk diffunderen de gasmoleculen sneller en wordt de depositiesnelheid bepaald door de oppervlaktereactie (oppervlaktereactiegelimiteerd), zodat ook wanneer meer dan 100 wafers rechtop op enkele mm afstand worden geplaatst een gelijkmatige laag wordt verkregen. De stapdekking is ook goed, en het wordt gebruikt voor polysilicium, siliciumnitride en TEOS-oxide. De temperatuur van circa 600 tot 800 °C is hoog, zodat het na de vorming van bedrading niet kan worden toegepast.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Welk brongas wordt gewoonlijk gebruikt bij het afzetten van een polysiliciumlaag met LPCVD?
  2. Welke uitspraak over vacuümopdampen is juist?
  3. Welk probleem treedt gemakkelijk op wanneer de interne spanning van een afgezette dunne laag groot is?
  4. Hoe heet de methode waarbij een vloeibaar materiaal op het midden van de wafer wordt gedruppeld en met hoge snelheid wordt rondgedraaid om een gelijkmatige laag te vormen?
  5. Welke vloeibare organosiliciumverbinding wordt veel gebruikt als brongas voor CVD van siliciumoxide?

Vergelijkingen bij dit onderwerp