박막 증착(CVD와 PVD)
감압 CVD(LPCVD)의 특징으로 올바른 것은?
- A감압 상태에서 수행하므로 막 두께 균일성이 좋고 다수의 웨이퍼를 한 번에 처리할 수 있다
- B대기압에서 수행하므로 장비가 가장 간단하다
- C플라즈마를 사용하므로 실온에서 성막할 수 있다
정답과 해설 보기
정답: A. 감압 상태에서 수행하므로 막 두께 균일성이 좋고 다수의 웨이퍼를 한 번에 처리할 수 있다
LPCVD는 수십~수백 Pa 정도로 감압하여 수행하는 열 CVD입니다. 감압하면 가스 분자의 확산이 빨라져 성막 속도가 표면 반응으로 결정되므로(표면 반응 율속), 웨이퍼를 수 mm 간격으로 세워 100장 이상 배열해도 균일한 막을 얻을 수 있습니다. 단차 피복성도 좋아 폴리실리콘, 실리콘 질화막, TEOS 산화막 등의 성막에 사용됩니다. 온도는 600~800 ℃ 정도로 높아 배선 형성 후에는 사용할 수 없습니다.