Fortgeschrittene Technologien (3D-Integration, Chiplets)

Welche Aussage zu TSV (Through-Silicon Via, Silizium-Durchkontaktierung) ist richtig?

  1. ALaterale Verdrahtung, die nur auf der Chipoberfläche ausgebildet wird
  2. BElektrode, die das Siliziumsubstrat in Dickenrichtung durchdringt und gestapelte Chips vertikal miteinander verbindet
  3. CLötkugeln, die als externe Anschlüsse des Gehäuses dienen
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Antwort: B. Elektrode, die das Siliziumsubstrat in Dickenrichtung durchdringt und gestapelte Chips vertikal miteinander verbindet

Ein TSV (Through-Silicon Via) ist eine Elektrode, bei der in das Siliziumsubstrat Löcher mit einem Durchmesser von einigen µm bis über zehn µm gebohrt und mit Leitermaterial gefüllt werden, sodass Vorder- und Rückseite elektrisch verbunden sind. Da sich Chips stapeln und über kürzere Strecken als beim Drahtbonden mehrere tausend oder mehr Verbindungen herstellen lassen, kommen TSVs in 3D-Packaging, HBM und Silizium-Interposern zum Einsatz. Laterale Verdrahtung nur an der Oberfläche ist die übliche Mehrlagenverdrahtung, Lötkugeln sind externe Anschlüsse.

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