下列關於降低金屬與半導體接觸電阻之基本方法，何者正確？

正確答案：A. 提高接觸之半導體的雜質濃度，使能障變薄，讓穿隧電流容易流過

金屬與半導體的界面會形成蕭特基能障。將半導體側的雜質濃度提高到 10²⁰ cm⁻³ 以上，能障的寬度會變薄到數 nm 以下，載子容易藉由穿隧效應穿過，因此接觸電阻會降低。此外，也會採用以鈦等的矽化物形成界面、選擇能障較低的材料、擴大接觸面積等做法，先進世代要求達到 10⁻⁹ Ω·cm² 等級的低接觸電阻率。