為使金屬與半導體的接觸成為歐姆接觸（電阻性接觸），常用的方法為下列何者？

正確答案：A. 將接觸的半導體表面高濃度摻雜，使載子容易以穿隧效應穿過障壁

金屬與半導體之間會形成蕭特基障壁，但若將半導體側高濃度摻雜（矽中約10¹⁹ cm⁻³以上），障壁寬度會變薄至數nm，載子便能以穿隧效應穿過。這樣就成為不論電流方向電阻都低的歐姆接觸。在先進的電晶體中，接觸電阻占整體電阻的很大比例，因此以矽化物的形成與極高的摻雜來降低。

• A. 正確。以高濃度摻雜使障壁變薄，讓穿隧電流流動。
• B. 設為低濃度會使障壁變厚，容易形成蕭特基接觸。
• C. 夾入厚的絕緣膜會使電流不易流動。