什麼是應變矽
對晶體施加應變以改變能帶結構，提高載子遷移率的矽。對nMOS施加拉伸、對pMOS施加壓縮的應變有效，以源極、汲極的SiGe或氮化膜等來施加。
日文名稱: ひずみシリコン
「應變矽」出現在1領域的1道練習題中（磊晶成長等）。
這個名詞所屬的領域: 磊晶成長
練習應變矽的題目
在晶格常數較大且已鬆弛的SiGe層上磊晶成長薄矽層時，矽層中產生的應變為下列何者？
- A壓縮應變
- B不產生應變
- C拉伸應變
解析中的「應變矽」
矽的晶格常數（0.543 nm）比SiGe小，因此在已鬆弛的SiGe上成長薄矽時，原子間距會配合SiGe在面內被拉長，產生拉伸應變（應變矽）。
在晶格常數較大且已鬆弛的SiGe層上磊晶成長薄矽層時，矽層中產生的應變為下列何者？