先進電晶體（FinFET與GAA）
在CFET（互補式場效電晶體）中，關於上下堆疊的電晶體中下層電晶體的連接，下列何者正確？
- A下層電晶體沒有閘極，只需連接源極與汲極
- B正上方有上層電晶體，從正面連接必須避開上層繞線，因此正在研究從背面直接連接下層的方式
- C上下電晶體共用所有源極與汲極，因此下層不需要個別連接
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正確答案：B. 正上方有上層電晶體，從正面連接必須避開上層繞線，因此正在研究從背面直接連接下層的方式
CFET（互補式場效電晶體）是將nMOS與pMOS上下堆疊以縮小元件面積的結構。上下的閘極與輸出可以共用，但各自的源極必須接到不同的電源（VDD與VSS）。從正面連接下層，必須避開上層電晶體把接點拉深，使狹小元件內的配線擁擠。因此正在研究從晶圓背面直接連接下層、並與背面供電結合的方式；在2023年的IEDM上，英特爾報告了從背面直接連接下層之CFET反相器的運作。
- A. 下層電晶體也有閘極，且常與上層共用。
- B. 正確。下層的連接會成為配線瓶頸。
- C. 即使是反相器，nMOS與pMOS的源極也接到不同的電源。