첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

FinFET과 GAA 구조, 단채널 효과, 하이-k/메탈 게이트, 스트레인 엔지니어링 등 첨단 트랜지스터의 핵심을 객관식 문제로 확인합니다.

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첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA): 핵심 정리

트랜지스터가 작아지면 단채널 효과로 인해 게이트가 채널을 제어하기 어려워집니다. 핀(fin) 모양의 채널을 게이트가 세 면에서 감싸는 FinFET이 이 문제를 해결했고, 설계는 채널을 완전히 둘러싸는 GAA(게이트 올 어라운드) 트랜지스터로 더욱 발전했습니다.

게이트 누설을 억제하는 하이-k/메탈 게이트와 이동도를 높이는 스트레인 기술도 첨단 트랜지스터를 뒷받침하는 중요한 기술입니다.

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