Fortschrittliche Transistoren (FinFET und GAA)

Fortschrittliche Transistoren (FinFET und GAA): Das Wichtigste

Mit der Verkleinerung der Transistoren erschweren Kurzkanaleffekte die Steuerung des Kanals durch das Gate. FinFETs, deren finnenförmiger Kanal auf drei Seiten vom Gate umschlossen ist, lösten dieses Problem, und das Design hat sich weiter zu Gate-All-Around-Transistoren (GAA) entwickelt, die den Kanal vollständig umschließen.

High-k/Metall-Gates, die den Gate-Leckstrom unterdrücken, und Verspannungstechniken (Strain), die die Beweglichkeit erhöhen, sind weitere wichtige Technologien hinter fortschrittlichen Transistoren.