單晶3D整合比貼合分別製作之晶片的3D封裝，能以高得多的密度連接層間，其主要原因下列何者正確？

正確答案：C. 上層直接製作在下層之上，並以微影對位，因此能以與一般配線導孔相當的尺寸連接

貼合晶片或晶圓的方式，連接密度由貼合的對位精度與連接部大小決定。單晶3D整合是在第1層上形成或貼上薄半導體層，再以微影對位製作第2層電晶體，因此層間能以與配線導孔相當的精細度連接。相對地，為了不損傷下層，上層必須在大約500 ℃以下製作。

• A. 焊料凸塊間距大，不適合高密度連接。
• B. 層間以一般的金屬導孔連接。
• C. 正確。原因在於能以微影的精度對位。