下列關於混合接合（hybrid bonding）的說明，何者正確？

正確答案：C. 不使用凸塊，將銅電極與絕緣膜的表面直接接合，以極高密度連接的技術

混合接合是以CMP將晶片或晶圓表面平坦化後，同時將銅電極之間與絕緣膜之間直接接合的技術。由於不使用焊錫凸塊，連接間距可縮小到10 µm以下，甚至數µm左右，每1 mm²的連接數可增加好幾個數量級。已在堆疊式影像感測器上實用化，應用於處理器與快取的堆疊以及HBM的進展也持續推進。