先進技術(3D構裝與小晶片)

在扇出型晶圓級封裝的製造中,以樹脂封裝晶片時,因樹脂流動或硬化時的收縮而使晶片位置偏移的問題稱為什麼?

  1. A電遷移(electromigration)
  2. B閂鎖效應(latch-up)
  3. C晶粒偏移(die shift)
查看答案與解析

正確答案:C. 晶粒偏移(die shift)

在製作重組晶圓時,因封裝樹脂的流動,以及硬化、冷卻所伴隨的收縮,排列好的晶片位置可能會有些微偏移。這稱為晶粒偏移(die shift)。即使偏移只有數µm,也會使之後形成的微細重分佈層與晶片電極的位置對不上,因此除了在材料與製程上下工夫外,還會量測每顆晶片的實際位置來修正曝光圖案作為對策。

  • A. 電遷移是電流造成配線金屬原子的移動。
  • B. 閂鎖效應是寄生閘流體造成的大電流現象。
  • C. 正確。這是封裝時晶片的位置偏移。
練習這個領域 前往領域頁面

先進技術(3D構裝與小晶片)的其他題目

  1. 在TSV周圍設置不配置電晶體的區域(禁置區,keep-out zone)的主要理由是下列何者?
  2. 下列關於小晶片(Chiplet)的說明,何者正確?
  3. 下列關於TSV(矽穿孔)的說明,何者正確?
  4. 下列關於HBM(High Bandwidth Memory,高頻寬記憶體)的說明,何者正確?
  5. 下列關於2.5D封裝所使用的矽中介層(silicon interposer)的作用,何者正確?

這個領域的比較