DRAMの微細化が進むほど、ロウハンマーが起きやすくなるといわれる理由として、正しいものはどれか。

正解：B. セルどうしの間隔が狭まり、セルに蓄える電荷も小さくなって、隣の行の活性化による干渉の影響を受けやすくなるから

行を活性化するたびにワード線の電位が大きく振れ、近くの行のセルの電荷が抜けやすくなります。微細化でセルとセルの距離が縮まると干渉は強まり、一方でセルの容量が小さくなるので、ビットが反転するまでの余裕も小さくなります。研究では、新しい世代のDRAMほど、最初のビットの反転までに必要な活性化の回数が少なくなる傾向が報告されています。このため、ロウハンマーへの対策は、DRAMの世代が進むほど重要になっています。

• A. 微細化してもリフレッシュは必要で、むしろデータを保持する余裕は小さくなります。
• B. 正しい。干渉が強まることと、余裕が小さくなることの両方が効きます。
• C. 同じ行を繰り返し活性化すること自体は、通常の動作として許されています。