DRAM
3D DRAMの実現が、3D NANDのように多数の層を積み重ねるだけでは難しい主な理由として正しいものはどれか。
- ADRAMはデータを書き換えられないから
- BDRAMのセルトランジスタはシリコンでしかつくれないから
- C各セルに電荷をためるキャパシタが必要で、いまのキャパシタは縦に非常に長い形をしているから
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正解：C. 各セルに電荷をためるキャパシタが必要で、いまのキャパシタは縦に非常に長い形をしているから
3D NANDは、ワード線となる膜を何百層も積み、縦の穴を一度に開けてセルの列をつくります。DRAMの各セルには電荷をためるキャパシタが必要で、平面のDRAMではキャパシタを細く深い形にして容量を確保しているため、そのままでは積み重ねられません。そこで3D DRAMでは、トランジスタとキャパシタを横向きに寝かせて層ごとに並べる構造や、IGZOなどの酸化物半導体のトランジスタで寄生容量に電荷を保持するキャパシタのないセルが研究されています。寝かせたセルは1層あたりの面積が大きくなるため、多くの層を低コストで積めるかが鍵になります。
- A. DRAMは自由に読み書きできるメモリです。
- B. IGZOなどの酸化物半導体のトランジスタを使うセルも研究されています。
- C. 正しい。キャパシタの形が積層を難しくしています。