最近のDRAMのセルトランジスタで、ゲート電極をシリコン基板の溝の中に埋め込む構造(埋め込みワード線)を使う主な目的はどれか。

正解：B. 実効的なチャネル長を長くしてリーク電流を抑えながら、セルを小さくするため

DRAMのセルトランジスタには、キャパシタの電荷を逃がさないよう極めて小さいリーク電流が求められます。ゲートを溝に埋め込むと、平面上の寸法が小さくても、溝に沿って実効的なチャネル長を長くでき、短チャネル効果によるリークを抑えられます。