センスアンプとは

せんすあんぷ

メモリセルから読み出したわずかな電圧差を増幅し、0か1かを判定する回路。

この用語の分野: DRAM

解説の中の「センスアンプ」

「センスアンプ」が出てくる問題(9問)

  1. 3D NANDで、メモリセルアレイの下にセンスアンプなどの周辺回路を配置する構造(CMOS under Arrayなど)の主な利点はどれか。
  2. DRAMの読み出し動作の特徴として正しいものはどれか。
  3. DRAMのセルアレイで、セルトランジスタのゲートにつながり、読み書きする行を選択する配線はどれか。
  4. DRAMで、同じ行(ページ)に連続してアクセスするとアクセス時間が短くなる理由として正しいものはどれか。
  5. DRAMの読み出しで、ビット線に現れる電圧の変化が非常に小さい理由として正しいものはどれか。
  6. DRAMのアクセスで、開いていた行を閉じ、ビット線を中間電位に戻して次の行の活性化に備える動作を何と呼ぶか。
  7. DRAMのタイミング規格「tRCD」が表すものはどれか。
  8. DRAMのセルアレイのビット線の構成で、対になるビット線を同じセルアレイ内に並べて配置する方式はどれか。
  9. SRAMの読み出しで、ビット線をあらかじめ電源電圧などに充電しておく動作を何と呼ぶか。

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ビット線 ワード線 プリチャージ 3D NAND CMOS リフレッシュ CASレイテンシ ECC(誤り訂正符号) LPDDR 冗長救済

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