ワイドバンドギャップ半導体란?
わいどばんどぎゃっぷはんどうたい
シリコンよりバンドギャップが大きい半導体。SiCやGaNなど。絶縁破壊電界が高く、高電圧・高温での動作に強い。
일본어 명칭: ワイドバンドギャップ半導体
분야: 화합물 반도체
わいどばんどぎゃっぷはんどうたい
シリコンよりバンドギャップが大きい半導体。SiCやGaNなど。絶縁破壊電界が高く、高電圧・高温での動作に強い。
일본어 명칭: ワイドバンドギャップ半導体
분야: 화합물 반도체
2次元電子ガス(2DEG) 量子井戸 直接遷移型 混晶半導体 効率ドループ Ga2O3(酸化ガリウム) GaAs(ガリウムヒ素) GaN(窒化ガリウム) HEMT(高電子移動度トランジスタ) III-V族化合物半導体