TLC(トリプルレベルセル)란?

てぃーえるしー

フラッシュメモリの1つのセルに3ビットを記憶する方式。8つのしきい値電圧の状態を区別する必要があり、容量あたりのコストは下がるが、書き換え可能回数は少なくなる。1セル4ビットはQLC。

일본어 명칭: TLC(トリプルレベルセル)

분야: SRAM과 플래시 메모리

이 용어가 포함된 비교

관련 용어

3D NAND 6T SRAMセル 不揮発性メモリ 書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション) 電荷トラップ型セル FNトンネル電流(ファウラー・ノルドハイム) NAND型フラッシュメモリ NOR型フラッシュメモリ NVMe SLC(シングルレベルセル)

용어집으로 돌아가기