次世代メモリ ReRAMの抵抗変化層として研究・実用化されている材料の例として正しいものはどれか。 A銅の単体 B酸化ハフニウムや酸化タンタルなどの金属酸化物 C単結晶シリコン 答えと解説を見る 正解：B. 酸化ハフニウムや酸化タンタルなどの金属酸化物 ReRAMには、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化チタンなどの金属酸化物がよく使われます。電圧によって膜中の酸素の欠損が集まった導電パスができたり消えたりして、抵抗が変化します。CMOSプロセスで使われている材料と相性がよい点も利点です。