次世代メモリ

ReRAMの抵抗変化層として研究・実用化されている材料の例として正しいものはどれか。

  1. A銅の単体
  2. B酸化ハフニウムや酸化タンタルなどの金属酸化物
  3. C単結晶シリコン
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正解：B. 酸化ハフニウムや酸化タンタルなどの金属酸化物

ReRAMには、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化チタンなどの金属酸化物がよく使われます。電圧で酸素イオンが移動し、酸素の欠けた部分(酸素欠損)が集まった導電パスができたり消えたりして抵抗が変わります。酸化ハフニウムや酸化タンタルはCMOSのゲート絶縁膜や容量で使われてきたため、製造装置や工程をそのまま流用しやすい点も利点です。

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