次世代メモリ

銀や銅などの金属イオンが固体電解質の中を移動して導電パスをつくったり切ったりすることで抵抗を変えるメモリはどれか。

  1. ACBRAM(導電性ブリッジメモリ)
  2. BFeRAM
  3. CSTT-MRAM
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正解：A. CBRAM(導電性ブリッジメモリ)

CBRAMは、銀や銅などの活性な金属電極から金属イオンが電解質層に溶け出し、電圧によって金属の導電ブリッジ(フィラメント)ができたり切れたりすることで低抵抗と高抵抗を切り替えます。抵抗変化メモリ(ReRAM)の一種に分類されることもあります。

  • A. 正しい。金属イオンによる導電ブリッジを使うメモリです。
  • B. FeRAMは強誘電体の分極で記憶します。
  • C. STT-MRAMは磁化の向きで記憶します。
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