次世代メモリ

ReRAMのセルの抵抗値のばらつきが大きいことによる課題として正しいものはどれか。

  1. A高抵抗と低抵抗を区別するための余裕が小さくなり、多値化や大容量化が難しくなる
  2. B書き込みが速くなりすぎる
  3. Cセルが軽くなる
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正解：A. 高抵抗と低抵抗を区別するための余裕が小さくなり、多値化や大容量化が難しくなる

ReRAMでは、導電性フィラメントのでき方が確率的なため、セルごとや書き込みごとに抵抗値がばらつきます。高抵抗状態と低抵抗状態の分布が近づくと読み出しの余裕が小さくなり、1セルに複数ビットを記憶する多値化や、大規模なアレイの実現が難しくなります。

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