格子定数の大きく異なる材料をヘテロエピタキシャル成長させるとき、組成を少しずつ変えた層を間に挟む「グレーデッドバッファ層」の目的はどれか。

正解：B. 格子定数を徐々に変化させて、ひずみを少しずつ緩和し、上の層に貫通する転位を減らすため

格子定数の差が大きい材料を直接成長させると、多くの転位が上の層まで突き抜けます。組成を少しずつ変えたバッファ層を挟むと、ひずみが段階的に緩和され、ミスフィット転位がバッファ層の中にとどまって、上の層の転位を減らせます。SiGeやIII-V族の成長などで使われます。

• A. ウエハを薄くする目的ではありません。
• B. 正しい。ひずみを段階的に緩和して上の層の転位を減らします。
• C. 成長速度を上げる目的ではありません。