ミスフィット転位란?
みすふぃっとてんい
格子定数の異なる結晶の界面に、ひずみを緩和するために入る転位。成長層が臨界膜厚を超えると発生する。
일본어 명칭: ミスフィット転位
분야: 에피택셜 성장
みすふぃっとてんい
格子定数の異なる結晶の界面に、ひずみを緩和するために入る転位。成長層が臨界膜厚を超えると発生する。
일본어 명칭: ミスフィット転位
분야: 에피택셜 성장
4H-SiC 格子不整合 貫通転位 臨界膜厚 選択エピタキシャル成長 積層欠陥 超格子 横方向エピタキシャル成長(ELO) HVPE(ハイドライド気相成長) MBE(分子線エピタキシー)