化合物半導体

次世代パワー半導体材料として研究が進む酸化ガリウム(Ga2O3)の特徴として正しいものはどれか。

  1. AバンドギャップがSiより小さい
  2. B常温で金属のように振る舞う
  3. CSiCやGaNよりさらに大きいバンドギャップ(約4.5〜4.9 eV)をもつ
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正解：C. SiCやGaNよりさらに大きいバンドギャップ(約4.5〜4.9 eV)をもつ

Ga2O3はバンドギャップが約4.5〜4.9 eVとSiCやGaNより大きく、さらに高い耐圧が期待できる材料です。また、融液から結晶を成長させられるため、基板を安価につくれる可能性があります。一方、p型をつくりにくいことや熱伝導率が低いことが課題です。

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