Ga2O3(酸化ガリウム)란?

さんかがりうむ

バンドギャップが約4.5〜4.9 eVと、SiCやGaNよりさらに大きい酸化物半導体。融液から結晶を育てられ、次世代のパワー半導体材料として研究が進んでいる。

일본어 명칭: Ga2O3(酸化ガリウム)

Ga2O3(酸化ガリウム)은(는) 화합물 반도체 등 1개 분야의 연습 문제 1개에 나와요.

분야: 화합물 반도체

도전해 보기: Ga2O3(酸化ガリウム) 관련 문제

차세대 파워 반도체 재료로 연구가 진행 중인 산화갈륨(Ga2O3)의 특징으로 올바른 것은?

  1. A밴드갭이 Si보다 작다
  2. B상온에서 금속처럼 동작한다
  3. CSiC나 GaN보다 더 큰 밴드갭(약 4.5~4.9 eV)을 가진다
정답과 해설 보기

정답: C. SiC나 GaN보다 더 큰 밴드갭(약 4.5~4.9 eV)을 가진다

Ga2O3는 밴드갭이 약 4.5~4.9 eV로 SiC나 GaN보다 크고, 절연 파괴 전계는 약 8 MV/cm로 예상되어 더 높은 내압과 낮은 손실이 기대되는 재료입니다. SiC나 GaN과 달리 융액에서 결정을 성장시킬 수 있어 기판을 저렴하게 대구경화할 가능성이 있으며, 일본의 기업과 연구 기관이 개발을 선도하고 있습니다. 한편 p형을 만들기 어렵고 열전도율이 낮은 것이 과제입니다.

해설 속 Ga2O3(酸化ガリウム)

Ga2O3(酸化ガリウム)이(가) 나오는 문제 (1)

  1. 차세대 파워 반도체 재료로 연구가 진행 중인 산화갈륨(Ga2O3)의 특징으로 올바른 것은?

관련 용어

SiC(炭化ケイ素) GaN(窒化ガリウム) 2次元電子ガス(2DEG) 量子井戸 直接遷移型 混晶半導体 効率ドループ GaAs(ガリウムヒ素) HEMT(高電子移動度トランジスタ) III-V族化合物半導体

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