에피택셜 성장

헤테로에피택셜 성장의 예로 올바른 것은?

  1. A실리콘 기판 위에 실리콘을 성장시키는 것
  2. B실리콘 기판 위에 SiGe를 성장시키는 것
  3. C실리콘 기판의 열산화
정답과 해설 보기

정답: B. 실리콘 기판 위에 SiGe를 성장시키는 것

기판과 같은 재료를 성장시키는 것이 호모에피택시이고, 다른 재료를 성장시키는 것이 헤테로에피택시입니다. 실리콘 위의 SiGe, 사파이어나 SiC 위의 GaN, GaAs 위의 AlGaAs 등이 헤테로의 예이며, 격자상수나 열팽창 차이로 인한 변형과 결함을 관리하는 것이 과제가 됩니다. 열산화로 만들어지는 SiO2는 실리콘을 소모하여 생기는 비정질 막이며 에피택셜 성장이 아닙니다.

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