Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke factor die de prestaties beperkt, wordt belangrijker bij transistoren die steeds verder zijn verkleind?

  1. AParasitaire weerstand van source, drain en contacten en parasitaire capaciteit rond de gate
  2. BDe diameter van de wafer
  3. CDe kleur van de behuizing
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Parasitaire weerstand van source, drain en contacten en parasitaire capaciteit rond de gate

Naarmate transistoren kleiner worden, neemt het aandeel van de weerstand van source, drain en contacten ten opzichte van de kanaalweerstand toe en bij geavanceerde generaties bedraagt dat soms bijna de helft van de aan-weerstand. Ook neemt de parasitaire capaciteit toe doordat de afstand tussen gate en contact is gekrompen tot enkele tientallen nm. Verbeteringen buiten het intrinsieke deel vormen daarom de kern van prestatieverbetering, zoals betere contactmaterialen, luchtspleten en spacers met lage diëlektrische constante en voeding via de achterzijde.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke uitspraak over de kenmerken van materialen zoals molybdeendisulfide (MoS2), dat wordt onderzocht als kanaalmateriaal voor toekomstige extreem kleine transistoren, is juist?
  2. Wat is het belangrijkste doel van het epitaxiaal opbouwen van kristal op de vinnen in source en drain van een FinFET?
  3. Welke uitspraak over de basismethode om de contactweerstand tussen metaal en halfgeleider te verlagen is juist?
  4. Welke maatstaf voor de mate van verkleining van logica geeft de werkelijke stand van zaken beter weer dan de generatienaam (nodenaam) van het proces?
  5. Welk element wordt onderzocht met het oog op het doorbreken van de grens van 60 mV/dec van de subthreshold-coëfficiënt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp