Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke techniek bedekt de gate met een isolatiefilm, zodat geen kortsluiting met de gate ontstaat als de positie van het contact enigszins verschuift?

  1. ALDD
  2. BTSV
  3. CZelfuitgelijnd contact (SAC)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Zelfuitgelijnd contact (SAC)

Als de boven- en zijkant van de gate met bijvoorbeeld een nitridefilm zijn bedekt, stopt het etsen van het contact, ook als het naar de positie van de gate verschuift, op de isolatiefilm omdat nitride moeilijker wordt geëtst dan oxide, en bereikt het de gate niet. Door dit zelfuitgelijnde contact is de marge voor uitlijnfouten niet meer nodig en kan de afstand tussen gate en contact kleiner worden. Het heeft geleid tot technieken om de celoppervlakte te verkleinen, zoals COAG, waarbij het contact direct boven de gate wordt geplaatst.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Waarom worden SiGe of germanium overwogen en toegepast als kanaalmateriaal voor pMOS in plaats van silicium?
  2. Welke methode van driedimensionale integratie, waarbij lagen transistoren achtereenvolgens op de wafer worden opgebouwd en geen chips op elkaar worden gebonden, is dit?
  3. Welke combinatie van bedrijf en generatie die de FinFET (door Intel Tri-Gate genoemd) als eerste in een logisch product voor massaproductie toepaste, is juist?
  4. Welke combinatie van bedrijf en generatie die als eerste aankondigde GAA-transistoren (nanosheet) in massaproductie te nemen, is juist?
  5. Welke uitspraak over het belangrijkste doel van het verkleinen van transistoren is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp