Nederlands
Menu

Wat is SADP (self-aligned double patterning)?

Techniek waarbij op de zijwanden van een kernpatroon een film (spacer) wordt gevormd, de kern wordt verwijderd en de spacers als masker worden gebruikt, zodat een pitch van de helft van de lithografielimiet ontstaat. Tweemaal herhalen heet SAQP.

Japanse benaming: SADP(自己整合ダブルパターニング)

“SADP (self-aligned double patterning)” komt voor in 3 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Lithografie, Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA).

Vakgebied: Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Nu oefenen: vragen over SADP (self-aligned double patterning)

Welke techniek, die zijwandspacers gebruikt om patronen te maken die fijner zijn dan de limiet van lithografie, wordt gebruikt om de smalle vinnen van FinFET's te maken?

  1. ASADP/SAQP (zelfuitgelijnde dubbele/viervoudige patronering)
  2. BOPC
  3. CCMP
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. SADP/SAQP (zelfuitgelijnde dubbele/viervoudige patronering)

Bij SADP wordt op de zijwanden van een kernpatroon met bijvoorbeeld ALD een uniforme film aangebracht om spacers te vormen en wordt de kern verwijderd, zodat lijnen met tweemaal de oorspronkelijke dichtheid ontstaan. SAQP herhaalt dit twee keer voor vier keer de dichtheid. Omdat de lijnbreedte niet door de belichting maar door de laagdikte wordt bepaald, is de spreiding klein en kunnen vinnen en bedrading worden gevormd die fijner zijn dan de limiet van ArF-immersiebelichting (pitch circa 80 nm). Ook bij EUV-belichting wordt het gecombineerd gebruikt voor de fijnste pitches.

Welke omschrijving van double patterning (multipatterning) is juist?

  1. ATwee wafers worden tegelijk belicht
  2. BPatronen met een te fijne pitch voor één belichting worden gevormd in meerdere belichtingen of bewerkingen
  3. CMet twee lagen resist over elkaar wordt de resolutie eenvoudig verdubbeld
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Patronen met een te fijne pitch voor één belichting worden gevormd in meerdere belichtingen of bewerkingen

Double patterning is een techniek om patronen met een pitch die in één keer niet oplosbaar is, te vormen door ze op te delen in twee uitgedunde patronen die afzonderlijk worden belicht en bewerkt (LELE), of door het aantal lijnen te verdubbelen met spacers die op de zijwanden zijn gedeponeerd (SADP, SAQP). Hiermee werd de schaalverkleining voortgezet voorbij de grens van ArF-immersie (pitch ongeveer 80 nm) tot een pitch van enkele tientallen nm, maar doordat het aantal processtappen, maskers en de kosten sterk toenemen, is de invoering van EUV-belichting aangedreven.

“SADP (self-aligned double patterning)” in de toelichting

Vragen met “SADP (self-aligned double patterning)” (3)

  1. Welke techniek, die zijwandspacers gebruikt om patronen te maken die fijner zijn dan de limiet van lithografie, wordt gebruikt om de smalle vinnen van FinFET's te maken?
  2. Welke omschrijving van double patterning (multipatterning) is juist?
  3. Wat wordt bij double patterning volgens de LELE-methode (litho-etch-litho-etch) bijzonder streng geëist?

Verwante termen

EUV-belichting FinFET ALD (atomic layer deposition) Overlay (overlaynauwkeurigheid) CFET (complementaire FET) DTCO (design-technology co-optimization) EOT (equivalente oxidedikte) FD-SOI (fully depleted SOI) GAA (gate-all-around) Gate-last (replacement metal gate)

Naar de woordenlijst