Hoe nauwkeurig een nieuw patroon kan worden uitgelijnd op het in een vorige stap gemaakte patroon. Afwijkingen leiden tot defecten zoals contacten die missen, en worden daarom op nanometerschaal bewaakt.
Japanse benaming: オーバーレイ(重ね合わせ精度)
“Overlay (overlaynauwkeurigheid)” komt voor in 8 oefenvragen uit 4 onderwerpen, bijv. Lithografie, Metrologie en analyse, Laagafzetting (CVD, PVD).
Vakgebied: Lithografie
Antwoord: B. Hoe nauwkeurig een nieuw patroon op de juiste positie over een in een voorgaande stap gemaakt patroon kan worden gelegd
Een LSI wordt gemaakt door tientallen lagen patronen over elkaar te leggen, dus elke laag moet nauwkeurig op de vorige worden uitgelijnd, en hoe kleiner die afwijking, hoe beter de overlay-nauwkeurigheid. Als richtwaarde is ongeveer 1/4 tot 1/5 van de lijnbreedte vereist, en bij geavanceerde producten enkele nm of minder (enkele tientallen atomen breed). Met uitlijnmarkeringen op de wafer worden positie, rotatie en uitrekking gemeten en gecorrigeerd, en ook thermische vervorming van masker en wafer en door voorgaande processen veroorzaakte vervorming worden meegerekend.
Antwoord: C. Speciale markeringen voor overlaymeting
Om de overlaynauwkeurigheid te meten worden onder meer in de scribe lines speciale markeringen gemaakt die patronen van de vorige en de huidige laag combineren. Met optische apparatuur wordt de afwijking tussen de middens van de twee patronen gemeten, of wordt de afwijking bepaald uit het verschil in gediffracteerd licht van de bovenste en onderste roosters. De resultaten worden als afwijking per positie op de wafer naar de belichtingsapparatuur gestuurd en gebruikt voor correctie bij de volgende lot. Bondpads en notch hebben een ander doel.
Een LSI wordt gemaakt door tientallen lagen patronen over elkaar te leggen, dus elke laag moet nauwkeurig op de vorige worden uitgelijnd, en hoe kleiner die afwijking, hoe beter de overlay-nauwkeurigheid.
Wat is overlay (overlay-nauwkeurigheid) in lithografie?Om de overlaynauwkeurigheid te meten worden onder meer in de scribe lines speciale markeringen gemaakt die patronen van de vorige en de huidige laag combineren.
Wat wordt op de wafer aangebracht om de overlay-afwijking t…Bij grote spanning trekt de wafer enkele tientallen tot honderden µm krom, waardoor focus en overlay van de belichting afwijken, of laat de laag los of scheurt hij.
Welk probleem treedt gemakkelijk op wanneer de interne span…Canon heeft een apparaat voor massaproductie ontwikkeld en de praktische toepassing, onder meer voor 3D NAND, wordt voortgezet, maar het onderdrukken van defecten en overlay zijn uitdagingen.
Hoe heet de techniek waarbij een matrijs (mold) met een fij…Daarom is een zeer hoge overlay-nauwkeurigheid nodig.
Wat wordt bij double patterning volgens de LELE-methode (li…Mobiliteit Nano-imprintlithografie 3D NAND SADP (self-aligned double patterning) SEM (scanning-elektronenmicroscoop) Antireflectiecoating (BARC) ArF-excimeerlaser Chemisch versterkte resist (CAR) EUV-belichting Fasenverschuivingsmasker (phase-shift mask)