Techniek waarbij transistors in een zeer dunne siliciumlaag op het begraven oxide worden gemaakt en het kanaal volledig is uitgeput. De dotering van het kanaal kan laag zijn en de drempelspanning is gemakkelijk af te stellen met substraatbias.
Japanse benaming: FD-SOI(完全空乏型SOI)
“FD-SOI (fully depleted SOI)” komt voor in 3 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA).
Vakgebied: Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)
Antwoord: C. Het kanaal kan weinig onzuiverheden bevatten, de spreiding van de drempelspanning is kleiner en de drempelspanning is gemakkelijk met de substraatbias in te stellen
Bij FD-SOI wordt de gehele extreem dunne siliciumlaag van circa 5 tot 7 nm dik uitgeput, zodat korte-kanaaleffecten ook zonder onzuiverheden in het kanaal worden onderdrukt en de spreiding door random dopant fluctuation klein is. Wordt via de dunne ingebedde oxidelaag (circa 20 nm) vanaf de substraatzijde een spanning aangelegd, dan kan de drempelspanning dynamisch worden gewijzigd. Het wordt gebruikt voor IoT, automotive en RF met lage spanning en laag vermogen.
Bij FD-SOI wordt de gehele extreem dunne siliciumlaag van circa 5 tot 7 nm dik uitgeput, zodat korte-kanaaleffecten ook zonder onzuiverheden in het kanaal worden onderdrukt en de spreiding door random dopant fluctuation klein is.
Welk voordeel van een volledig uitgeputte SOI-transistor (F…SOI wordt veel gebruikt voor hoogfrequentschakelaars (RF-SOI) en voor FD-SOI voor laag vermogen.
Welke uitspraak over de SOI-structuur (Silicon On Insulator…FinFET's en FD-SOI, waarvan het kanaal ongedoteerd kan zijn, hebben ook op dit punt een voordeel.
Hoe heet het verschijnsel dat bij kleine transistoren de dr…Drempelspanning (threshold voltage) Random dopant fluctuation (RDF) Via Junctiecapaciteit (depletiecapaciteit) Latch-up FinFET CFET (complementaire FET) DTCO (design-technology co-optimization) EOT (equivalente oxidedikte) GAA (gate-all-around)