Qu'est-ce que SADP (double patterning auto-aligné) ?

Technique qui forme des films (espaceurs) sur les flancs d'un motif central, retire ce dernier et utilise les espaceurs comme masque pour obtenir un pas égal à la moitié de la limite lithographique. Répétée deux fois, c'est la SAQP.

Nom japonais: SADP(自己整合ダブルパターニング)

« SADP (double patterning auto-aligné) » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Lithographie, Transistors avancés (FinFET et GAA).

Domaine: Transistors avancés (FinFET et GAA)

S'entraîner : questions sur SADP (double patterning auto-aligné)

Quelle technique, utilisée pour réaliser les ailettes fines des FinFET, exploite des espaceurs latéraux pour obtenir des motifs plus fins que la limite de la lithographie ?

  1. ASADP/SAQP (double/quadruple structuration auto-alignée)
  2. BOPC
  3. CCMP
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Réponse : A. SADP/SAQP (double/quadruple structuration auto-alignée)

En SADP, un film uniforme est déposé par ALD ou analogue sur les flancs d'un motif servant de mandrin pour former des espaceurs, puis le mandrin est retiré, ce qui donne des traits de densité double. La SAQP répète l'opération deux fois pour quadrupler la densité. La largeur des traits étant déterminée par l'épaisseur du film et non par l'exposition, la dispersion est faible, et l'on obtient des ailettes et interconnexions plus fines que la limite de la lithographie ArF à immersion (pas d'environ 80 nm). Même avec l'EUV, elle est combinée pour les pas les plus fins.

Quelle description du double patterning (multipatterning) est correcte ?

  1. AExposer simultanément deux wafers
  2. BFormer des motifs à pas trop fin pour être résolus en une seule exposition en répartissant le travail sur plusieurs expositions ou étapes d'usinage
  3. CDoubler la résolution en enduisant simplement deux couches de résine
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Réponse : B. Former des motifs à pas trop fin pour être résolus en une seule exposition en répartissant le travail sur plusieurs expositions ou étapes d'usinage

Le double patterning forme des motifs à pas trop fin pour une seule exposition, soit en les divisant en deux motifs décimés exposés et gravés séparément (LELE), soit en doublant les lignes grâce à des espaceurs déposés sur les flancs (SADP, SAQP). Il a permis de poursuivre la miniaturisation au-delà de la limite de l'ArF à immersion (pas d'environ 80 nm) jusqu'à des pas de l'ordre de 20 nm, mais le nombre d'étapes, de masques et le coût augmentent fortement, ce qui a motivé l'introduction de la lithographie EUV.

« SADP (double patterning auto-aligné) » dans les explications

Questions mentionnant « SADP (double patterning auto-aligné) » (3)

  1. Quelle technique, utilisée pour réaliser les ailettes fines des FinFET, exploite des espaceurs latéraux pour obtenir des motifs plus fins que la limite de la lithographie ?
  2. Quelle description du double patterning (multipatterning) est correcte ?
  3. Dans le double patterning de type LELE (litho-etch-litho-etch), quelle exigence est particulièrement stricte ?

Termes associés

FinFET ALD Lithographie EUV Overlay (précision de superposition) CFET (FET complémentaire) DTCO (co-optimisation conception-technologie) EOT (épaisseur d'oxyde équivalente) FD-SOI (SOI totalement déplété) Fluctuation aléatoire des dopants (RDF) GAA (grille enrobante, gate-all-around)

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