Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over het opslaan van meerdere bits in één cel (multilevel) van faseveranderingsgeheugen (PCM) is juist?

  1. ADe kleur van de cel wordt veranderd
  2. BDe magnetisatierichting van de cel wordt in meerdere richtingen gezet
  3. CDoor de grootte van het amorfe gebied in de cel e.d. te regelen worden tussenliggende weerstandswaarden gemaakt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Door de grootte van het amorfe gebied in de cel e.d. te regelen worden tussenliggende weerstandswaarden gemaakt

Bij PCM kunnen tussenliggende weerstanden tussen hoge en lage weerstand worden gemaakt door de grootte van het amorfe gebied in de cel (de verhouding tot het kristallijne deel) te regelen met de hoogte of lengte van de schrijfpuls. Omdat het weerstandsverschil met 2 tot 3 ordes van grootte groot is, kunnen met meerdere niveaus twee of meer bits per cel worden opgeslagen. Vanwege weerstandsdrift en temperatuurafhankelijkheid zijn echter methoden nodig die na het schrijven verifiëren en bijstellen, en uitleesmethoden die de drift compenseren.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welk geheugen verandert de weerstand doordat metaalionen zoals zilver of koper zich door een vaste elektrolyt verplaatsen en een geleidend pad vormen of verbreken?
  2. Welke uitspraak over het verschil tussen het 'bipolaire' en het 'unipolaire' type in de werking van ReRAM is juist?
  3. Welk element van chalcogenidemateriaal, dat plotseling gaat geleiden boven een bepaalde spanning, wordt gebruikt als selector in serie met het geheugenelement in onder meer crosspoint-PCM?
  4. Waarom moet de grootte van de leesstroom in STT-MRAM worden beperkt?
  5. Welk element maakt gebruik van het feit dat de tunnelstroom door een dunne ferro-elektrische laag verandert met de polarisatierichting van het ferro-elektricum?

Vergelijkingen bij dit onderwerp