Opkomende geheugentechnologieën

Hoe heet bij faseveranderingsgeheugen (PCM) het verschijnsel dat de weerstand van de amorfe toestand in de loop van de tijd geleidelijk toeneemt?

  1. AStiction
  2. BWeerstandsdrift
  3. CTransient enhanced diffusion
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Weerstandsdrift

In de amorfe fase van PCM relaxeert de atoomordening in de loop van de tijd lichtjes, waardoor de weerstand geleidelijk toeneemt, evenredig met de logaritme van de tijd (R ∝ t^ν, met ν van circa 0,1). Dit heet weerstandsdrift. Bij binaire opslag met hoge en lage weerstand is dit nauwelijks een probleem, maar bij multilevelopslag met tussenliggende weerstanden wordt het onderscheid met naburige niveaus moeilijk. Tegenmaatregelen zijn onder meer het gelijktijdig uitlezen van een referentiecel en de keuze van materialen met weinig drift.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over het uitlezen van gegevens uit MRAM is juist?
  2. Wat voor materiaal is GST, een veelgebruikt opslagmateriaal voor faseveranderingsgeheugen?
  3. Welk voorbeeld van een materiaal dat als weerstandsveranderende laag voor ReRAM wordt onderzocht en toegepast, is juist?
  4. Welk mechanisme voor energiebesparing van het systeem wordt verwacht van niet-vluchtig geheugen in caches en registers?
  5. Welke uitspraak over een kenmerkende toepassing waarvoor FeRAM wordt gebruikt, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp