Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over het idee van het 'universele geheugen', waarop veel onderzoek en ontwikkeling van geheugens van de volgende generatie is gericht, is juist?

  1. AEen geheugenkaart die in elk apparaat past
  2. BEen geheugen dat altijd magnetisme gebruikt
  3. CEen enkel geheugen dat de snelheid en herschrijfendurance van DRAM combineert met de niet-vluchtigheid en grote capaciteit van flash
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Een enkel geheugen dat de snelheid en herschrijfendurance van DRAM combineert met de niet-vluchtigheid en grote capaciteit van flash

Het universele geheugen is het idee om de snelheid en herschrijfendurance van DRAM en SRAM te combineren met de niet-vluchtigheid, grote capaciteit en lage kosten van flash in één geheugen. Realisatie zou de geheugenhiërarchie vereenvoudigen. In de praktijk heeft elk geheugen echter sterke en zwakke punten: MRAM is snel maar moeilijk in grote capaciteit te maken, PCM is geschikt voor grote capaciteit maar heeft een hoog schrijfvermogen. Momenteel worden ze per toepassing ingezet om de gaten tussen bestaande geheugens te vullen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Waar staat de 'Fe' in FeRAM voor?
  2. Hoe heet de structuur, waarbij twee magnetische lagen een dunne isolerende laag insluiten, die in MRAM als element voor het opslaan van 1 bit wordt gebruikt?
  3. Welke uitspraak over de tunnelmagnetoweerstandsverhouding (TMR-verhouding) van een MTJ is juist?
  4. Welke uitspraak over de relatie tussen de weerstanden bij parallelle en antiparallelle magnetisatierichting van de twee magnetische lagen in een MTJ is juist?
  5. Welke uitspraak over de rollen van de twee magnetische lagen in een MTJ is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp