Niet-vluchtig crosspointgeheugen, gezamenlijk ontwikkeld door Intel en Micron. Combineert gestapelde faseveranderingsmaterialen en OTS-selectors; werd verkocht onder de naam Optane, maar het einde van de activiteit werd in 2022 aangekondigd.
Japanse benaming: 3D XPoint
“3D XPoint” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Opkomende geheugentechnologieën.
Vakgebied: Opkomende geheugentechnologieën
Antwoord: B. 3D XPoint
3D XPoint is een geheugen waarbij een resistief geheugenelement (waarvan men aanneemt dat het op faseverandering berust) en een OTS-selector op de kruispunten van horizontale en verticale bedrading zijn geplaatst en gestapeld. Het werd in 2015 aangekondigd en als Optane op de markt gebracht. Het werd aangeprezen als circa 1000 keer sneller dan NAND en met grotere capaciteit en lagere prijs dan DRAM, en er werden SSD's en modules voor het hoofdgeheugen gemaakt. Door de prijsconcurrentie met steeds sneller wordende NAND en DRAM groeide de markt echter niet, en in 2022 werd de beëindiging van de activiteit aangekondigd.
3D XPoint is een geheugen waarbij een resistief geheugenelement (waarvan men aanneemt dat het op faseverandering berust) en een OTS-selector op de kruispunten van horizontale en verticale bedrading zijn geplaatst en gestapeld.
Welke storage-class-memory-technologie, die Intel en Micron…Chalcogeniden Crosspoint-geheugen FeFET (ferro-elektrische transistor) FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) Forming In-memory computing Magnetische tunnelovergang (MTJ) MRAM PCM (phase-change memory) ReRAM (resistief geheugen)