Opkomende geheugentechnologieën

Welke methode om een cel van faseveranderingsgeheugen (PCM) in de amorfe toestand met hoge weerstand te brengen (reset) is juist?

  1. AEen magnetisch veld aanleggen om de magnetisatie om te keren
  2. BMet een grote stroompuls verhitten tot boven het smeltpunt en daarna snel afkoelen
  3. CLange tijd op een temperatuur rond de kristallisatietemperatuur houden
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Met een grote stroompuls verhitten tot boven het smeltpunt en daarna snel afkoelen

Bij reset wordt het materiaal met een grote stroompuls (enkele tientallen tot enkele honderden ns) verhit tot boven het smeltpunt (circa 600 °C bij GST) en gesmolten, waarna het binnen enkele ns snel wordt afgekoeld. De atomen krijgen zo geen tijd om te ordenen en het materiaal wordt amorf. Bij set wordt het materiaal daarentegen enige tijd boven de kristallisatietemperatuur en onder het smeltpunt gehouden om te kristalliseren. De grote resetstroom is een probleem voor het vermogensverbruik van PCM; men verlaagt hem met structuren die het verhitte volume verkleinen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Wat is de belangrijkste verwachte toepassing van in-memory computing met bijvoorbeeld resistief geheugen?
  2. Welke uitspraak over het uitlezen van FeRAM van het condensatortype is juist?
  3. Welk materiaal wordt veel gebruikt als tunnelbarrièrelaag in de magnetische tunneljunctie (MTJ) van MRAM en levert een grote tunnelmagnetoweerstandsverhouding?
  4. Hoe heet bij ReRAM de initialisatiestap waarbij eerst een relatief hoge spanning wordt aangelegd om een geleidend filament te vormen?
  5. Welke uitspraak over de kenmerken van SOT-MRAM is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp