Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over de manier van verhitten bij het in de kristallijne toestand met lage weerstand brengen van een cel van faseveranderingsgeheugen (PCM, set) is juist?

  1. ASnel verhitten tot boven het smeltpunt en direct snel afkoelen
  2. BRelatief lang op een temperatuur boven de kristallisatietemperatuur en onder het smeltpunt houden
  3. CHelemaal niet verhitten
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Relatief lang op een temperatuur boven de kristallisatietemperatuur en onder het smeltpunt houden

Bij set wordt het amorfe materiaal gedurende enkele tientallen tot enkele honderden ns op een temperatuur boven de kristallisatietemperatuur (circa 150 °C bij GST) en onder het smeltpunt (circa 600 °C) gehouden, zodat de atomen zich ordenen en kristalliseren. Deze tijd is bepalend voor de schrijfsnelheid van PCM en is langer dan bij reset. Voor een hogere snelheid kiest men materialen die snel kristalliseren of samenstellingen waarin gemakkelijk kristalkiemen ontstaan.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Hoe heet in de hysteresiscurve (polarisatie-veldkarakteristiek) van een ferro-elektricum de polarisatie die overblijft wanneer het elektrische veld weer tot nul wordt teruggebracht?
  2. Welke externe omstandigheid vereist bij het gebruik van MRAM aandacht?
  3. Waarom worden MRAM en FeRAM soms gebruikt in omgevingen met veel straling, zoals ruimtevaartapparatuur?
  4. Welke storage-class-memory-technologie, die Intel en Micron vroeger gezamenlijk ontwikkelden en onder de productnaam 'Optane' verkochten, is dit?
  5. Welke uitspraak over het opslaan van meerdere bits in één cel (multilevel) van faseveranderingsgeheugen (PCM) is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp