Geheugen waarbij op de kruispunten van horizontale en verticale lijnen een geheugenelement ligt. Hoge dichtheid mogelijk, maar om sluipstromen naar niet-geselecteerde cellen te voorkomen wordt een selector (selectie-element) in serie met het geheugenelement geplaatst.
Japanse benaming: クロスポイント型メモリ
“Crosspoint-geheugen” komt voor in 2 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Opkomende geheugentechnologieën.
Vakgebied: Opkomende geheugentechnologieën
Antwoord: C. Selector (selectie-element)
Bij crosspoint-geheugen wordt op elk kruispunt geen transistor geplaatst, maar zit het geheugenelement direct op het kruispunt van de bedrading. De celoppervlakte kan daardoor minimaal 4F² zijn en lagen kunnen op elkaar worden gestapeld. Sneak-stromen door niet-geselecteerde cellen verstoren echter het uitlezen, dus wordt in serie een selector geplaatst die onder een bepaalde spanning vrijwel geen stroom geleidt. Een selector moet een sterk niet-lineair gedrag hebben, met een grote aan-stroom en een kleine uit-stroom.
Bij crosspoint-geheugen wordt op elk kruispunt geen transistor geplaatst, maar zit het geheugenelement direct op het kruispunt van de bedrading.
Welk element wordt in serie met het geheugenelement geplaat…Door zijn niet-lineariteit, met een kleine stroom in de uit-toestand en de mogelijkheid van een grote stroom in de aan-toestand, onderdrukt het sneak-stromen naar niet-geselecteerde cellen en maakt het gestapeld crosspoint-geheugen mogelijk.
Welk element van chalcogenidemateriaal, dat plotseling gaat…PCM (phase-change memory) Drempelspanning (threshold voltage) 3D XPoint Chalcogeniden FeFET (ferro-elektrische transistor) FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) Forming In-memory computing Magnetische tunnelovergang (MTJ) MRAM