Opkomende geheugentechnologieën

Hoe heet bij het verkleinen van faseveranderingsgeheugen het probleem dat de warmte bij het schrijven naar een naburige cel overgaat en de toestand daarvan verandert?

  1. ARowhammer
  2. BElektrostatische ontlading
  3. CThermische disturb (thermische crosstalk)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Thermische disturb (thermische crosstalk)

Bij het schrijven van PCM wordt het materiaal verhit tot enkele honderden °C (bij reset tot meer dan 600 °C). Wanneer de celafstand afneemt tot enkele tientallen nm of minder, kan die warmte naar de naburige cel overgaan en een amorfe naburige cel ongewild laten kristalliseren. Dit heet thermische disturb. Tegenmaatregelen zijn structuren die het verhitte deel beperken tot een smal deel van de elektrode (zoals mushroom-cellen) en thermisch isolerende structuren met omringende isolatiematerialen die warmte slecht geleiden.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over het ontwerpprobleem dat voortvloeit uit het stochastische karakter van het schrijven in STT-MRAM is juist?
  2. Welke uitspraak over het probleem dat voortvloeit uit de grote spreiding van de weerstandswaarden van ReRAM-cellen is juist?
  3. Welk geheugen heeft in het algemeen het kleinste aantal herschrijfcycli?
  4. Welke van de volgende geheugens is een niet-vluchtig geheugen waarvan de gegevens ook na het uitschakelen van de voeding behouden blijven?
  5. Waar staat de 'M' in MRAM voor?

Vergelijkingen bij dit onderwerp