Opkomende geheugentechnologieën
Welke uitspraak over het opslagprincipe van faseveranderingsgeheugen (PCM) is juist?
- AHet verschil in magnetisatierichting van een magnetische laag
- BHet weerstandsverschil tussen de kristallijne en de amorfe toestand van een chalcogenidemateriaal
- CDe polarisatierichting van een ferro-elektricum
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. Het weerstandsverschil tussen de kristallijne en de amorfe toestand van een chalcogenidemateriaal
PCM verhit chalcogenidematerialen zoals GeSbTe met de Joule-warmte van een stroom en koelt ze snel af, waardoor tussen een kristallijne toestand met lage weerstand en een amorfe toestand met hoge weerstand wordt geschakeld. Het weerstandsverschil bedraagt 2 tot 3 ordes van grootte en met tussenwaarden is multilevelopslag mogelijk. Hetzelfde materiaal wordt ook gebruikt in herschrijfbare dvd's en Blu-ray-schijven, omdat de reflectie van licht verschilt tussen de kristallijne en de amorfe fase. Een uitdaging is de grote stroom die voor het schrijven nodig is.