Opkomende geheugentechnologieën

Welk element van chalcogenidemateriaal, dat plotseling gaat geleiden boven een bepaalde spanning, wordt gebruikt als selector in serie met het geheugenelement in onder meer crosspoint-PCM?

  1. AOTS (ovonic threshold switch)
  2. BZenerdiode
  3. CFloating gate
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. OTS (ovonic threshold switch)

Een OTS (Ovonic Threshold Switch) is een element van chalcogenidemateriaal dat boven de drempelspanning binnen enkele ns plotseling een lage weerstand krijgt en bij verlaging van de stroom terugkeert naar de hoge weerstand. Anders dan PCM kristalliseert het niet en onthoudt het zijn toestand niet, zodat het als selector bruikbaar is. Door zijn niet-lineariteit, met een kleine stroom in de uit-toestand en de mogelijkheid van een grote stroom in de aan-toestand, onderdrukt het sneak-stromen naar niet-geselecteerde cellen en maakt het gestapeld crosspoint-geheugen mogelijk.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Waarom moet de grootte van de leesstroom in STT-MRAM worden beperkt?
  2. Welk element maakt gebruik van het feit dat de tunnelstroom door een dunne ferro-elektrische laag verandert met de polarisatierichting van het ferro-elektricum?
  3. Welk effect, waarbij de magnetische anisotropie van een magnetische laag met een spanning wordt veranderd, wordt onderzocht als methode om de schrijfenergie van MRAM te verlagen?
  4. Welke uitspraak over het opslagprincipe van MRAM is juist?
  5. Welke uitspraak over het opslagprincipe van faseveranderingsgeheugen (PCM) is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp