Methode om kristallen te laten groeien met metaalorganische verbindingen en brongassen zoals ammoniak. Wordt veel gebruikt voor de groei van verbindingshalfgeleiders zoals GaN en GaAs.
Japanse benaming: MOCVD(有機金属気相成長)
“MOCVD (metaalorganische dampafzetting)” komt voor in 7 oefenvragen uit 3 onderwerpen, bijv. Epitaxiale groei, Verbindingshalfgeleiders, Procesmaterialen (gassen, chemicaliën).
Vakgebied: Epitaxiale groei
Antwoord: B. Waterstof bindt aan Mg en maakt de acceptor inactief, dus wordt geactiveerd door warmtebehandeling in stikstof of bestraling met elektronen
Waterstof afkomstig van onder meer de ammoniak als MOCVD-grondstof bindt aan Mg en vormt Mg-H-complexen, waardoor de acceptor niet werkt. In 1989 slaagden Hiroshi Amano en collega's erin p-type te verkrijgen door bestraling met elektronen, en in 1992 vonden Shuji Nakamura en collega's een voor massaproductie geschikte methode: warmtebehandeling (annealing) bij circa 700 °C in stikstof, waarbij het waterstof wordt verdreven. Nadat waterstof als oorzaak was opgehelderd, kwam de praktische toepassing van blauwe LED's en lasers in een stroomversnelling.
Antwoord: C. Epitaxiale groei van samengestelde halfgeleiders zoals GaN
Bij MOCVD reageren metaalorganische verbindingen zoals trimethylgallium en hydridegassen zoals ammoniak op een verhit substraat, waarbij het kristal van een samengestelde halfgeleider groeit. Door het omschakelen van gassen kan de samenstelling met een resolutie van enkele nm worden veranderd, en er kunnen per run tientallen wafers worden verwerkt, wat massaproductie mogelijk maakt. MOCVD wordt breed toegepast voor blauwe en witte leds op GaN-basis, halfgeleiderlasers, hoogfrequent- en vermogenscomponenten en ook voor de productie van zonnecellen.
Waterstof afkomstig van onder meer de ammoniak als MOCVD-grondstof bindt aan Mg en vormt Mg-H-complexen, waardoor de acceptor niet werkt.
Wat is de belangrijkste reden dat met Mg gedoteerd GaN dat …Bij MOCVD reageren metaalorganische verbindingen zoals trimethylgallium en hydridegassen zoals ammoniak op een verhit substraat, waarbij het kristal van een samengestelde halfgeleider groeit.
Waarvoor wordt MOCVD (metaalorganische chemische dampafzett…Ze worden gebruikt bij MOCVD van GaN en GaAs.
Welke uitspraak over de omgang met organometaalverbindingen…De groeisnelheid is met circa 1 µm per uur laag en de massaproductiviteit blijft achter bij MOCVD, maar MBE wordt gebruikt voor onderzoek en ontwikkeling, hoogwaardige HEMT's en kwantumcomponenten.
Welke uitspraak over de kenmerken van MBE (moleculaire bund…Het beheersen van dunne lagen en abrupte grensvlakken gaat met MOCVD en MBE beter.
Welke methode laat een kristal op een substraat neerslaan e…GaN (galliumnitride) Numerieke apertuur (NA) GaAs (galliumarsenide) MBE (molecular beam epitaxy) Acceptor Gloeien (annealing) HEMT (high electron mobility transistor) Contact HVPE (hydride-dampfase-epitaxie) 4H-SiC